3月15日，国团由中國電工技術學會主持、队高导磁单晶寧夏超導泛科技有限責任公司（以下簡稱“寧夏超導泛科技”）牽頭組織的温超“高溫超導磁控矽單晶生長裝備、技術及應用科技成果鑒定會”在寧夏銀川市舉辦。控硅

據悉，生长寧夏超導泛科技成立於2024年12月，技术由寧夏盈穀實業股份有限公司、领域江西聯創超導技術有限公司等多家企業和自然人聯合投資設立。获突

鑒定會上，国团由中國科學院院士甘子釗領銜的队高导磁单晶專家委員會對項目進行了全麵評估。專家一致認為，温超該技術填補了我國在高端矽晶體製造領域的控硅多項空白，綜合性能達到國際領先水平。生长

據介紹，技术高溫超導磁控矽單晶生長裝備、领域技術及應用的關鍵，在於引入高溫超導磁體技術。科研團隊針對高品質大尺寸矽單晶生長技術瓶頸，研製出高溫超導磁控矽單晶生長裝備，形成大尺寸矽單晶長棒快速、高穩定性、低含氧量的生長工藝，實現大尺寸（12英寸以上）高品質矽單晶的生產，經濟和社會效益顯著。

根據項目報告顯示，寧夏超導泛科技自主研發的高溫超導磁控矽單晶生長設備及技術，可將矽片含氧量穩定控製在5ppma（質量百萬分比）以下，矽棒頭尾利用率提升4%以上，生產效率提升12%，目前已拉出直徑達340毫米的高品質矽棒。

甘子釗院士在評審中表示：“這是國際上首次將高溫超導技術應用於磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術產業化做了很多開創性的工作，開辟了超導技術產業化新賽道。”他特別提到，該技術對實現“雙碳”目標具有戰略意義。

專家委員會認為，該項目解決了磁控條件下大尺寸矽單晶生長爐高溫度均勻性節能型熱場設計、模塊化大尺寸傳導冷卻高溫超導磁體設計、電—磁—熱—流體多場耦合下矽單晶生長分析與控製等關鍵技術難題，取得多項創新性技術成果。科研團隊研製的高溫超導磁控矽單晶生長裝備，在生產實踐中得到了應用，這表明該項目總體技術水平已達國際領先。